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參數(shù)資料
| 型號： | KSB744A |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Audio Frequency Power Amplifier |
| 中文描述： | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | KSB744A |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : KSB744
* PW
≤
10ms, Duty Cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2% Pulsed
h
FE
Cassification
Classification
Parameter
Value
-70
-45
-60
-5
-3
-5
-0.6
1
10
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
: KSB744A
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
TJ
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
*Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Test Condition
V
CB
= -45V, I
E
= 0
V
EB
= -3V, I
C
= 0
V
CE
= -5V, I
C
= -20mA
V
CE
= -5V, I
C
= -0.5A
I
C
= -1.5A, I
C
= -0.15A
I
C
= -1.5A, I
B
= -0.15A
V
CE
= -5V, I
C
= -0.1A
V
CB
= -10V, I
E
= 0
f = 1MHz
Min.
Typ.
Max.
-1
-1
Units
μ
A
μ
A
* DC Current Gain
30
60
120
100
-0.5
-0.8
45
60
320
-2
-2
V
V
MHz
pF
R
O
Y
h
FE2
60 ~ 120
100 ~ 200
160 ~ 320
KSB744/744A
Audio Frequency Power Amplifier
Complement to KSD794/KSD794A
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSB811 | PNP (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
| KSB834 | PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
| KSB834 | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSB834W | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSC1008R | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSB744AYSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB744OSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB744YSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSB772 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier |
| KSB772G | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Audio Frequency Power Amplifier |
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