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參數資料
| 型號： | KSC1008 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | KSC1008 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSC1008 | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
| KSC1008CG | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
| KSC1008CO | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
| KSC1008CR | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
| KSC1008CY | Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSC1008_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitacial Silicon Transistor |
| KSC1008CG | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
| KSC1008CO | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching |
| KSC1008COBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC1008COTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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