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參數資料
| 型號： | KSC2758L99Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | KSC2758L99Z |
KSC2758
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
RF. MIXER FOR UHF TUNER
HIGH POWER GAIN Typ. 17dB
LOW NF Typ. 2.8dB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
°
C)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
30
25
4
20
150
150
-55 ~ 150
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cut-off Current
DC Current Gain
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Noise Figure
Power Gain
AGC Current
I
CBO
h
FE
f
T
C
OB
NF
G
PB
I
AGC
V
CB
=25V, I
E
=0
V
CE
=10V, I
C
=3mA
V
CE
=10V, I
E
=3mA
f=1MHz, V
CB
=10V, I
E
=0
V
CB
=10V, I
E
=3mA
f=900Mhz
V
CB
=10V, I
E
=3mA,
f=900MHz
Gpb AGC=I
E
of G
pb
-30dB
60
750
14
120
1000
0.6
2.8
17
-8
0.1
240
0.8
4.5
-11
μ
A
MHz
pF
dB
dB
mA
SOT-23
1. Base 2. Emitter 3. Collector
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSC2759OS62Z | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| KSC2759O | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| KSC5060 | 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| KSC5060Y | 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| KSC5060YJ69Z | 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| KSC2758YMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 7/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC2759 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN (MIXER, OSCILLATOR FOR UHF TUNER) |
| KSC2759OMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC2759RMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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