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參數資料
| 型號： | KSD1406 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | KSD1406 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
h
FE1
Classification
Classification
h
FE1
Parameter
Value
60
60
7
3
0.5
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 50mA, I
B
= 0
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 3A, I
B
= 0.3A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CB
= 10V, f = 1MHz
V
CC
= 30V, I
C
= 1A
I
B1
= -I
B2
= 0.2A
R
L
= 30
Min.
60
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
100
100
300
DC Current Gain
60
20
0.4
0.7
3
70
0.8
1.5
0.8
1
1
V
V
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
O
Y
G
60 ~ 120
100 ~ 200
150 ~ 300
KSD1406
Low Frequency Power Amplifier
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Complement to KSB1015
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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PDF描述 |
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