- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374392 > KSD1692 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | KSD1692 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE BUILT-IN A DAMPER DIODE AT E-C) |
| 中文描述： | npn型（高直流電流增益低集電極飽和電壓內置式阻尼二極管在歐共體） |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 263K |
| 代理商： | KSD1692 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSD1692 | Feature |
| KSD203AC2 | SOLID STATE RELAY |
| KSD203AC3 | SOLID STATE RELAY |
| KSD205AC3 | SOLID STATE RELAY |
| KSD215AC8 | SOLID STATE RELAY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSD1692OS | 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD1692OSTU | 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD1692YS | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD1692YSTU | 功能描述:達林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD1943 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Power Transistor |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。