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參數資料
| 型號： | KSD5017 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 叩（彩電產量的橫向應用） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | KSD5017 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSD5071 | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| KSD5072 | NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| KSD5701 | High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output |
| KSD5703 | High Voltage Color Display Horizontal Deflection Output (No Damper Diode) |
| KSD794 | NPN (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSD5018 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD5018PCC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSD5018PWD | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD5018TU | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD5041 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:AF Output Amplifier for Electronic Flash Unit |
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