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參數資料
| 型號： | KSD986 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE) |
| 中文描述： | npn型（低頻功率放大器低速切換工業使用） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | KSD986 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSD986 | TRIM POT ST-32TB 100 KOHMS |
| KSE13001 | Color TV Chroma Output |
| KSE13007F | High Voltage Switch Mode Application |
| KSE13008 | High Voltage Switch Mode Application |
| KSE13009 | High Voltage Switch Mode Application |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSD986OS | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD986YS | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSD986YSTSSTU | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSDA42 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
| KSDA82 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
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