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參數資料
| 型號： | KSP05S |
| 廠商： | OTAX Corporation |
| 英文描述： | DIP Switch |
| 中文描述： | DIP開關 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | KSP05S |
DIP Switch
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSP06L | DIP Switch |
| KSP06S | DIP Switch |
| KSP07J | DIP Switch |
| KSP07L | DIP Switch |
| KSP07S | NEUTRIK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KSP05TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP06 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| KSP06B12-10P | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP06B12-10P - Bulk |
| KSP06BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP06E22-55S | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:KSP06E22-55S - Bulk |
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