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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KSR2003 |
| 廠(chǎng)商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Switching Application |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | KSR2003 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, October 2002
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
Parameter
Value
-50
-50
-10
-100
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -10
μ
A, I
E
=0
I
C
= -100
μ
A, I
B
=0
V
CB
= -40V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -5mA
I
C
= -10mA, I
B
= -0.5mA
V
CE
= -10V, I
C
= -5mA
V
CB
= -10V, I
E
=0
f=1.0MHz
V
CE
= -5V, I
C
= -100
μ
A
V
CE
= -0.3V, I
C
= -5mA
Min.
-50
-50
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
-0.1
70
-0.3
V
200
5.5
MHz
pF
V
I
(off)
V
I
(on)
R
1
R
1
/R
2
Input Off Voltage
Input On Voltage
Input Resistor
Resistor Ratio
-0.5
V
V
-3.0
29
1.1
15
0.9
22
1
K
KSR2003
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R
1
=22K
, R
2
=22K
)
Complement to KSR1003
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
1. Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSR2206 | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR2206 | Switching Application |
| KSR2207 | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR2208 | Ceramic Disc Capacitor; Capacitance:180pF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Series:DD; Termination:Radial Leaded; Features:High Dielectric |
| KSR2209 | PNP (SWITCHING APPLICATION) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSR2003BU | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TO-92 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| KSR2003H1TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSR2003TA | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TO-92 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| KSR2004 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:PNP (SWITCHING APPLICATION) |
| KSR2004TA | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TO-92 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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