欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號： KTA1045L
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMP, MEDIUM SPEED SWITCHING)
中文描述： 外延平面PNP晶體管（低頻功率放大器，中速開關）
文件頁數： 1/2頁
文件大小： 399K
代理商： KTA1045L
2003. 3. 27
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KTA1045D/L
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 5
LOW FREQUENCY POWER AMP,
MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS
FEATURES
High breakdown voltage V
CEO
120V, high current 1A.
Low saturation voltage and good linearity of h
FE
.
Complementary to KTC2025D/L
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DPAK
DIM
A
B
C
D
E
MILLIMETERS
6.60 0.2
6.10 0.2
5.0 0.2
1.10 0.2
2.70 0.2
2.30 0.1
1.00 MAX
2.30 0.2
0.5 0.1
2.00 0.20
0.50 0.10
0.91 0.10
0.90 0.1
1.00 0.10
0.95 MAX
F
H
I
J
K
L
M
O
P
Q
A
C
D
B
E
K
I
J
Q
H
F
F
M
O
P
L
1
2
3
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
CHARACTERISTIC
Collector Cut of Current
Emitter Cut of Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
)
(Note) : h
FE
(1) Classification Y:100
200, GR:160
320
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-120
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-120
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Collector Current
I
C
-1
A
I
CP
-2
Collector Power
Dissipation
Ta=25
P
C
1.0
W
Tc=25
8
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55
150
SYMBOL
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
h
FE
(1) Note
h
FE
(2)
f
T
C
ob
V
CE(sat)
V
BE(sat)
TEST CONDITION
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
EB
=-4V, I
C
=0
I
C
=-10 A, I
E
=0
I
C
=-1mA, I
B
=0
I
E
=-10 A, I
C
=0
V
CE
=-5V, I
C
=-50mA
V
CE
=-5V, I
C
=-500mA
V
CE
=-10V, I
C
=-50mA
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA
MIN.
-
-
-120
-120
-5
100
20
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
110
30
-0.15
-0.85
MAX.
-1
-1
-
-
-
320
-
-
-
-0.4
-1.2
UNIT
A
A
V
V
V
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
MHz
pF
V
V
Switching Time
Turn-on Time
t
on
-
80
-
nS
Turn-off Time
t
off
-
100
-
Storage Time
t
stg
-
600
-
I
B1
B2
I
20
μ
sec
1uF
1uF
24
1
100
I =10I =-10I =500mA
C
V =-12V
2V
-12V
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
MILLIMETERS
6.60 0.2
6.10 0.2
5.0 0.2
1.10 0.2
9.50 0.6
2.30 0.1
0.76 0.1
1.0 MAX
2.30 0.2
0.5 0.1
2.0 0.2
+
IPAK
D
B
Q
E
H
F
F
C
A
P
L
I
J
1
2
3
L
P
Q
0.50 0.1
1.0 0.1
0.90 MAX
G
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
K
+
+
+
+
相關PDF資料
PDF描述
KTA1046 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (INDUSTRIAL USE, GENERAL PURPOSE)
KTA1049 Epitaxial Plannar PNP Transistor（General Purpose Application )(外延平面PNP晶體管(通用型）)
KTA1070 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH-DEFINITION CRT DISPLAY VIDEO OUTPUT)
KTA1073T EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE CONTROL, PLASMA DISPLAY, NIXIE TUBE DRIVER,CATHODE RAY TUBE BRIGHTNESS CONTROL)
KTA1204 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING)
相關代理商/技術參數
參數描述
KTA1046 制造商:JVC Worldwide 功能描述:XSISTOR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
KTA1046_11 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KTA1049 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KTA1049_08 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KTA1070 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH-DEFINITION CRT DISPLAY VIDEO OUTPUT)
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 韶关市| 安泽县| 武冈市| 九江市| 武夷山市| 敦煌市| 甘孜| 华蓥市| 伊川县| 东辽县| 裕民县| 汶川县| 长岛县| 黎平县| 石狮市| 边坝县| 夏津县| 泸定县| 辽中县| 靖安县| 马龙县| 桃园县| 上栗县| 浦县| 天全县| 西丰县| 和林格尔县| 永登县| 城固县| 和政县| 白朗县| 米林县| 阜阳市| 淮南市| 页游| 柞水县| 木兰县| 万全县| 康定县| 长丰县| 宁陕县|