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L-ET908-P-DB

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L-ET908-P-DB 技術參數

LET9070CB 功能描述:MOSF RF N CH 80V 12A M243 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:16dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:80W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:M243 供應商器件封裝:M243 標準包裝:25 LET9060TR 功能描述:RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:960MHz 增益:17.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:300mA 功率 - 輸出:60W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:1 LET9060STR 功能描述:RF FET LDMOS 80V POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:960MHz 增益:17.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:300mA 功率 - 輸出:60W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:1 LET9060S 功能描述:IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:960MHz 增益:17.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:300mA 功率 - 輸出:60W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條直引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 LET9060F 功能描述:MOSFET N-CH 80V 12A M-250 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:18dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:75W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:M250 供應商器件封裝:M250 標準包裝:25 LEV200A4ANF LEV200A4NAA LEV200A4NAF LEV200A4NAF01 LEV200A5ANA LEV200A5NAA LEV200A5NAF LEV200A6NAF LEV200A9ANA LEV200ABNAA LEV200ALANA LEV200AOANA LEV200H4ANA LEV200H5ANA LEV200H6ANA LEV200H9ANA LEV200HOANA01 LEV200L5ANF