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L640DU90RI.

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L640DU90RI.
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
36200
AMD
BGA
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

L640DU90RI.
深圳市一線半導體有限公司
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L640DU90RI. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

L640DU90RI. 技術參數

L6399DTR 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售驅動配置:半橋通道類型:獨立式驅動器數:2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 L6398DTR 功能描述:功率驅動器IC 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6398D 功能描述:功率驅動器IC High Volt 600V Rail Off Line 3.3V RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6395DTR 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產驅動配置:半橋通道類型:獨立式驅動器數:2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 L6395D 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效驅動配置:半橋通道類型:獨立式驅動器數:2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:100 L6472HTR L6472PD L6472PDTR L6474H L6474HTR L6474PD L6474PDTR L6480H L6480HTR L6482H L6482HTR L6491D L6491DTR L6494L L6494LD L6494LDTR L6494LTR L6498D