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LT1167ACN8#TR

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LT1167ACN8#TR 技術參數

LT1167ACN8#PBF 功能描述:IC PREC INSTRMNT-AMP PROG 8-DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標準包裝:150 系列:- 放大器類型:音頻電路數:2 輸出類型:- 轉換速率:5 V/µs 增益帶寬積:12MHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:100nA 電壓 - 輸入偏移:500µV 電流 - 電源:6mA 電流 - 輸出 / 通道:50mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):4 V ~ 32 V，±2 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應商設備封裝:8-TSSOP 包裝:管件 LT1166CS8#TRPBF 功能描述:IC BIAS SYS AUTO PWR-OUTPT 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LT1166CS8#PBF 功能描述:IC BIAS SYS AUTO PWR-OUTPT 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LT1166CN8#PBF 功能描述:IC BIAS SYS AUTO PWR-OUTPUT 8DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LT1162ISW#TRPBF 功能描述:IC PWR MOSFET DRIVER NCH 24SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LT1167CN8#PBF LT1167CS8#PBF LT1167CS8#TRPBF LT1167CS8-1#PBF LT1167CS8-1#TRPBF LT1167IN8#PBF LT1167IS8#PBF LT1167IS8#TRPBF LT1167IS8-1#PBF LT1167IS8-1#TRPBF LT1168ACN8#PBF LT1168ACS8#PBF LT1168ACS8#TRPBF LT1168AIN8#PBF LT1168AIS8#PBF LT1168AIS8#TRPBF LT1168CN8#PBF LT1168CS8#PBF