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參數(shù)資料
| 型號： | L2008L859 |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 200 V, 8 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 2298K |
| 代理商： | L2008L859 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| L4004F511 | 400 V, 4 A, 4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC, TO-202AB |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| L2008V6 | 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| L2008V6TP | 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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