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參數資料
| 型號： | L2008L9 |
| 英文描述： | TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220 |
| 中文描述： | 可控硅| 200伏五（DRM）的| 8A條口（T）的有效值|至220 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 622K |
| 代理商： | L2008L9 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| L200U5 | TRIAC|200V V(DRM)|800MA I(T)RMS|TO-243AA |
| L200U7 | TRIAC|200V V(DRM)|800MA I(T)RMS|TO-243AA |
| L200U9 | TRIAC|200V V(DRM)|800MA I(T)RMS|TO-243AA |
| L4006L7 | TRIAC|400V V(DRM)|6A I(T)RMS|TO-220 |
| L4006L9 | TRIAC|400V V(DRM)|6A I(T)RMS|TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| L2008R6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220 |
| L2008V6 | 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| L2008V6TP | 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| L2008V8 | 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 10-10-10-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| L2008V8TP | 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 10-10-10-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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