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參數資料
型號: L2008R6
英文描述: TRIAC|200V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220
中文描述: 可控硅| 200伏五(DRM)的| 8A條口(T)的有效值|至220
文件頁數: 1/13頁
文件大小: 1060K
代理商: L2008R6
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PDF描述
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L2008V6 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2008V6TP 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 5-5-5-10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2008V8 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 10-10-10-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
L2008V8TP 功能描述:雙向可控硅 200V 8A Sensing 10-10-10-20mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流(Ih 最大值):45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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