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參數資料
| 型號： | LB32N16 |
| 英文描述： | Smartpack N-Channel Power MOSFET Module For Aduio Application(Vdsx:160V,Vgss:14V,Id:32A)(智能封裝N溝道功率MOSFET模塊,音頻應用(Vdsx:160V,Vgss:14V,Id:32A)) |
| 中文描述： | Smartpack N溝道功率MOSFET模塊Aduio應用（Vdsx：160V，Vgss：14V的，身份證：32A條）（智能封裝?溝道功率MOSFET的模塊，音頻應用（Vdsx：160V，Vgss：14V的，身份證：第32A）） |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | LB32N16 |
C
iss
C
oss
C
rss
t
on
t
off
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn–on Time
Turn-off Time
MNT - LB32N16
MNT - LB32N20
Tentative 6/99
Magnatec.
Telephone +44(0)1455 554711.
E-mail:
magnatec@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Fax +44(0)1455 558843.
Characteristic
Test Conditions
V
GS
= –10V
I
D
= 10mA
V
DS
= 0
V
DS
= 10V
V
GS
= 10V
Min.
160
200
±14
0.1
Typ.
Max.
Unit
BV
DSX
Drain – Source Breakdown Voltage
BV
GSS
V
GS(OFF)
V
DS(SAT)
*
Gate – Source Breakdown Voltage
Gate – Source Cut–Off Voltage
Drain – Source Saturation Voltage
I
DSX
Drain – Source Cut–Off Current
yfs*
Forward Transfer Admittance
1.5
12
10
10
2
6
* Pulse Test: Pulse Width = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%.
LB32N16
LB32N20
I
G
= ±100
μ
A
I
D
= 100mA
I
D
= 32A
V
DS
= 160V
LB32N16
V
DS
= 200V
LB32N20
I
D
= 5A
V
GS
= –10V
V
DS
= 10V
V
V
V
V
mA
S
Characteristic
Test Conditions
TYP
N-Ch
TBE
TBE
TBE
TBE
TBE
Unit
V
DS
= 10V
f = 1MHz
V
DS
= 20V
I
D
= 7A
pF
ns
STATIC CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
Gate 1
Gate 2
Source 2
Source 1
Drain 1
S2
G2
D
G1
S1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LB502MD | |
| LB502MN | |
| LB502VD | |
| LB502YD | |
| LB502DD | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LB330Z | 制造商:SEOUL 制造商全稱:Seoul Semiconductor 功能描述:GREEN OVAL LAMP LED |
| LB331 | 制造商:SEOUL 制造商全稱:Seoul Semiconductor 功能描述:CYAN LAMP LED |
| LB3331FO | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| LB3333-Q1R2-35 | 制造商:OSRAM 功能描述:Hyper LED Blue 3mm,LB 3333-Q1R2-35 |
| LB3333-R1S2-35 | 制造商:OSRAM 功能描述:Hyper LED Blue 3mm,LB 3333-R1S2-35 |
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