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參數資料
| 型號： | LLSD101C |
| 廠商： | Diodes Inc. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 中文描述： | 表面貼裝肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | LLSD101C |
Features
l Low Reverse Recovery Time
l Low Reverse Capacitance
l Low Forward Voltage Drop
l Guard Ring Construction for Transient Protection
Mechanical Data
l Case: MiniMELF, Glass
l Terminals: Solderable per MIL -STD-202, Method 208
l Polarity: Indicated by Cathode Band
l Weight: 0.05 grams ( approx.)
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified
Characteristic
Symbol LLSD101A LLSD101B LLSD101C
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
60V
50V
40V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
42V
35V
28V
Forward Continuous Current(Note 1)
IFM
15mA
Non-Repetitive Peak @ t<=1.0s
Forward Surge Current @ t=10us
IFSM
50mA
2.0A
Power Dissipation(Note 1)
Pd
400mW
Thermal Resistance(Note 1)
R
375K/W
Operation & Storage Temp. Range
Tj, TSTG
-55 to 150
oC
Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified
Charateristic
Symbol
Min
Max
Unit
Test Cond.
Peak
LLSD101A
VR=50V
Reverse
LLSD101B
IRM
-----
200
nA VR =40V
Current
LLSD101C
VR =30V
LLSD101A
0.41
I F=1.0mA
LLSD101B
0.40
I F=1.0mA
Forward
LLSD101C
VFM
-----
0.39
V
I F=1.0mA
Volt. Drop LLSD101A
1.00
I F=15mA
LLSD101B
0.95
I F=15mA
LLSD101C
0.90
I F=15mA
Junction
LLSD101A
2.0
Capacitance LLSD101B
Cj
-----
2.1
pF VR =0V, f=1.0MHz
LLSD101C
2.2
Reverse Recovery Time
trr
-----
1.0
ns
I F=IR =5mA,
recover to 0.1 I R
Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
LLSD101A
THRU
LLSD101C
Schottky Barrier
Switching Diode
www.mccsemi.com
DIMENSION
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.134
.142
3.40
3.60
B
.008
.016
.20
.40
C
.055
.059
1.40
1.50
MINIMELF
A
B
C
Cathode Mark
0.030”
0.105
0.075”
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
omponents
21201 Itasca Street Chatsworth
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$% !"#
MCC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LLSD103 | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| LLSD103A | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| LLSD103B | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| LLSD103C | SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| LL4448 | FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LLSD101C-13 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 SCHOTTKY DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| LLSD101C-7 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 SCHOTTKY DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| LLSD101CCT | 制造商:. 功能描述: |
| LLSD101C-TP | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 400MW 40V MMELF RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| LLSD103 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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