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參數資料
| 型號： | LMBF170LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | LMBF170LT1 |
LMBF170LT1–1/4
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
1
3
SOT-23
2
3
1
2
Gate
Source
Drain
LMBF170LT1
N-CHANNEL POWER MOSFET
LMBF170LT1
FEATURE
Pb-Free Package is available.
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
LMBF170LT1
6Z
3000/Tape&Reel
LMBF170LT1G
6Z
(Pb-Free)
3000/Tape&Reel
LMBF170LT3
6Z
10000/Tape&Reel
LMBF170LT3G
6Z
(Pb-Free)
10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
VDSS
VDGS
60
Vdc
Drain–Gate Voltage
60
Vdc
Gate–Source Voltage
– Continuous
– Non–repetitive (tp
≤
50 s)
VGS
VGSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
Drain Current – Continuous
– Pulsed
ID
IDM
0.5
0.8
Adc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board
(Note 1.) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
TJ, Tstg
556
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to
+150
°
C
1. FR–5 = 1.0
0.75
0.062 in.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LMBF170LT1G | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| LMBF170LT3 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| LMBF170LT3G | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| LMBT2222ALT1 | General Purpose Transistors |
| LMBT2222ALT1G | General Purpose Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| LMBF170LT1G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |
| LMBF170LT3 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |
| LMBF170LT3G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFET |
| LM-BP | 功能描述:烙鐵 BASE PLATE ASSEMBLY RoHS:否 制造商:Weller 產品:Soldering Stations 類型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大溫度:+ 850 F 電纜類型:US Cord Included |
| LMBR0520FT1G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 40V Forward Current 0.5A |
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