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M29F800DT70N1T TR

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M29F800DT70N1T TR
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
45795
Micron Technology Inc.
48-TFSOP (0.724", 18
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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M29F800DT70N1T TR 技術(shù)參數(shù)

M29F800DT70N1T 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29F800DT70N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29F800DT70M6E 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS 44SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 M29F800DT70M6 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29F800DT55N6E 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29F800FB5AM6F2 TR M29F800FB5AN6E2 M29F800FB5AN6F2 TR M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3F2 TR M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3F2 TR M29F800FT5AM6F2 TR M29F800FT5AN6E2 M29F800FT5AN6F2 M29F800FT5AN6F2 TR M29W008AT120N6T M29W008AT120N6T TR M29W010B70K6E M29W010B70N1 M29W010B70N6E M29W010B70N6F M29W010B70N6F TR