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M29W160EB70N6E（F）

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M29W160EB70N6E（F）技術參數

M29W160EB70N6E 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W160EB70N6 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W160EB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 M29W160EB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 3V 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 M29W160EB70N1 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W160EB7AN6F TR M29W160EB7AZA6F TR M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE TR M29W160EB90N1 M29W160EB90N6 M29W160ET70N3E M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F TR M29W160ET70N6E M29W160ET70N6F M29W160ET70N6F TR M29W160ET70ZA6E M29W160ET70ZA6F M29W160ET70ZA6F TR M29W160ET70ZS6E M29W160ET70ZS6F TR M29W160ET7AN6E