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M5818BI

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M5818BI 技術參數
  • M57962L 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 M57962CL-01 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 M57959L 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 M57184N-715B 功能描述:CONV DC-DC STPDWN IPM 9-SIP 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:非隔離 PoL 模塊 輸出數:2 電壓 - 輸入(最小值):140V 電壓 - 輸入(最大值):360V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:5V 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出(最大值):350mA,200mA 功率(W) - 制造系列:6W 電壓 - 隔離:- 應用:ITE(商業) 特性:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:18-SIP 模塊(9 引線) 大小/尺寸:2.05" 長 x 0.47" 寬 x 0.95" 高(52.1mm x 11.9mm x 24.1mm) 工作溫度:-20°C ~ 70°C 效率:- 功率(W) - 最大值:6W 標準包裝:1 M57182N-315F 功能描述:CONV DC/DC HI-VOLT INPUT 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:非隔離 PoL 模塊 輸出數:1 電壓 - 輸入(最小值):140V 電壓 - 輸入(最大值):380V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出(最大值):200mA 功率(W) - 制造系列:3W 電壓 - 隔離:- 應用:ITE(商業) 特性:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:12-SIP 模塊(6 引線) 大小/尺寸:1.38" 長 x 0.34" 寬 x 0.79" 高(35.1mm x 8.6mm x 20.1mm) 工作溫度:-10°C ~ 70°C 效率:70% 功率(W) - 最大值:3W 標準包裝:1 M58BW016FB7T3T M58BW016FB7T3T TR M58BW16FB4T3F M58BW16FB4T3T M58BW16FB4T3T TR M58BW16FB4ZA3F TR M58BW16FB4ZA3T M58BW16FB5T3F TR M58BW16FB5T3T M58BW16FB5T3T TR M58BW16FB5ZA3F M58BW16FB5ZA3F TR M58BW32FB4T3F M58BW32FB4T3T M58BW32FB4T3T TR M58BW32FB4ZA3F M58BW32FB4ZA3T M58BW32FB5T3F TR
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