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M58LT256KSB7ZA6F TR

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
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  • M58LT256KSB7ZA6F TR
    M58LT256KSB7ZA6F TR

    M58LT256KSB7ZA6F TR

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Micron Technology Inc.

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十

  • M58LT256KSB7ZA6F TR
    M58LT256KSB7ZA6F TR

    M58LT256KSB7ZA6F TR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話(huà):19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3515

  • MICRON

  • 64-TBGA(10x13)

  • 14+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
M58LT256KSB7ZA6F TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Micron Technology Inc
  • 功能描述
  • IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA
M58LT256KSB7ZA6F TR 技術(shù)參數(shù)
  • M58LT256KSB7ZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 256Mbit 16M x 16bit 70ns 64-Pin TBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA M58LT256JST8ZA6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線(xiàn)串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) M58LT256JST8ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):CAV24C32WE-GT3OSTR M58LT256JSB8ZA6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) M58LT256JSB8ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 85NS 64TBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040 M58LW032D90ZA6 M58LW064D110N6 M58LW064D110ZA6 M58WR032KB70ZB6E M58WR032KB70ZB6F TR M58WR032KB70ZB6W TR M58WR032KB70ZB6Z M58WR032KB70ZQ6W TR M58WR032KB70ZQ6Z M58WR032KB7AZB6E M58WR032KB7AZB6F TR M58WR032KL70ZA6E M58WR032KL70ZA6U TR M58WR032KT70ZB6F TR M58WR032KU70ZA6U TR M58WR064EB70ZB6 M58WR064EB70ZB6T M58WR064ET70ZB6T
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