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MBR12040CTR

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功能描述
肖特基二極管與整流器 40V 120A Schottky Recovery
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
產品
Schottky Diodes
峰值反向電壓
2 V
正向連續電流
50 mA
最大浪涌電流
配置
Crossover Quad
恢復時間
正向電壓下降
370 mV
最大反向漏泄電流
最大功率耗散
75 mW
工作溫度范圍
- 65 C to + 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-143
封裝
Reel

MBR12040CTR 技術參數

MBR12040CT 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR12035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR12035 CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:5 MBR12030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR12030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR120ESFT3G MBR120HWTR MBR120LSFT1 MBR120LSFT1G MBR120LSFT3 MBR120LSFT3G MBR120VLSFT1 MBR120VLSFT1G MBR120VLSFT3 MBR120VLSFT3G MBR12100LPS-TP MBR1240MFST1G MBR1240MFST3G MBR12U100L-TP MBR130HWTR MBR130LSFT1 MBR130LSFT1G MBR130T1