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MBR40045CTL

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MBR40045CTL 技術參數

MBR40040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40040CT 功能描述:DIODE MODULE 40V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40035CTR 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 35V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 35V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR400100CTR 功能描述:DIODE MODULE 100V 400A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:840mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR40100PTE3/TU MBR40100PTHC0G MBR40100WT MBR40150CT MBR40150PT C0G MBR40150PTE3/TU MBR40150PTHC0G MBR40150WT MBR4015CTL MBR4015CTLG MBR4015LWT MBR4015LWTG MBR40200CT MBR40200PT C0G MBR40200PTE3/TU MBR40200PTHC0G MBR40200WT MBR40250