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MBS133033

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MBS133033 技術參數

MBRT40045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT40045 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT40035R 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT40035 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBRT400100R 功能描述:DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:400A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:880mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:三塔供應商器件封裝:三塔標準包裝:25 MBS4HRCG MBS6 RCG MBS6HRCG MBS8 RCG MBS8HRCG MBSH-TR MBSH-TR316 MBS-MR MBS-MR316 MBS-TLR MBS-TLR316 MBT14H MBT14H-S MBT14S MBT14S-S MBT20H MBT20H-S MBT20S