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MLF2012E100JTD25

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  • 封裝
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  • MLF2012E100JTD25
    MLF2012E100JTD25

    MLF2012E100JTD25

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • MLF2012E100JTD25
    MLF2012E100JTD25

    MLF2012E100JTD25

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 45

  • TDK

  • con

  • 24+

  • -
  • 電感器

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
MLF2012E100JTD25 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
MLF2012E100JTD25 技術參數
  • MLF2012DR82MTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±20% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82M 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±20% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82KTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82KT000 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±10% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012DR82JTD25 功能描述:820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:820nH 容差:±5% 額定電流:150mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):650 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:25 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 MLF2012E120KTD25 MLF2012E120M MLF2012E120MT MLF2012E120MT000 MLF2012E120MTD25 MLF2012E5R6JT000 MLF2012E5R6JTD25 MLF2012E5R6KT000 MLF2012E5R6KTD25 MLF2012E5R6M MLF2012E5R6MT MLF2012E5R6MT000 MLF2012E5R6MTD25 MLF2012E6R8JT000 MLF2012E6R8JTD25 MLF2012E6R8KT000 MLF2012E6R8KTD25 MLF2012E6R8M
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