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MMBTA42 / 1D

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MMBTA42 / 1D PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MMBTA42 / 1D 技術參數

MMBTA42 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA28-7 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA13-TP 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 150mA，1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 MMBT4126-7 功能描述:TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，1V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 MMBT3906FZ-7B 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN060 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:435mW 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN0606-3 標準包裝:1 MMBTA42-TP MMBTA43LT1 MMBTA43LT1G MMBTA44-G MMBTA55 MMBTA55-7 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1 MMBTA55LT1G MMBTA55LT3 MMBTA55-TP MMBTA56 MMBTA56_D87Z MMBTA56-7 MMBTA56-7-F MMBTA56LT1 MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G-HFE