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MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R

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MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室
9000
Micron
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22+
-
原廠渠道，現貨配單

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MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MT29F384G08EBHBBB0KB3WC1-R 技術參數

MT29F32G08QAAWP:A TR 功能描述:IC FLASH 32GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT29F32G08FAAWP-ET:A TR 功能描述:IC FLASH 32GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16）速度:110ns 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7）包裝:托盤 MT29F32G08FAAWP:A TR 功能描述:IC FLASH 32GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步存儲容量:1.125M（32K x 36）速度:5ns 接口:并聯電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 MT29F32G08CFACBWP-12:C 功能描述:IC FLASH NAND 32GB 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT29F32G08CFACAWP:C 功能描述:IC FLASH NAND 32GB 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT29F3T08EUHBBM4-3R:B MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR MT29F4G01AAADDHC:D MT29F4G01AAADDHC-IT:D MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR MT29F4G01AAADDHC-ITX:D MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR MT29F4G01ABAFD12-AATES:F MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR MT29F4G01ABAFD12-ITES:F MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR MT29F4G01ABBFD12-AATES:F MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR MT29F4G01ABBFD12-ITES:F MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F