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MT9VDVF6472Y-40BD4

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操作

MT9VDVF6472Y-40BD4
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Micron Technology Inc.
標準封裝
16+
-
原裝正品，質量保障假一罰十

1/1頁 40條/頁共2條
1

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MT9VDVF6472Y-40BD4 PDF下載

功能描述
MODULE DDR 512MB 184-DIMM VLP
RoHS
是
類別
存儲卡，模塊 >> 存儲器 - 模塊
系列
-
標準包裝
100
系列
-
存儲器類型
SDRAM
存儲容量
1GB
速度
133MHz
特點
-
封裝/外殼
168-DIMM

MT9VDVF6472Y-40BD4 技術參數

MT9VDDT6472HG-40BD2 功能描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512MB 速度:200MHz 封裝/外殼:200-SODIMM 標準包裝:1 MT9VDDT6472HG-335D2 功能描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512MB 速度:167MHz 封裝/外殼:200-SODIMM 標準包裝:1 MT9VDDT6472AY-40BF1 功能描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512MB 速度:400MT/s 封裝/外殼:184-UDIMM 標準包裝:100 MT9VDDT6472AY-335F1 功能描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512MB 速度:333MT/s 封裝/外殼:184-UDIMM 標準包裝:100 MT9VDDT6472AG-40BD1 功能描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512MB 速度:200MHz 封裝/外殼:184-UDIMM 標準包裝:1 MTA065012A MTA065015A MTA106D MTA106DPC MTA106DUL MTA106E MTA106EPC MTA106F MTA106G MTA106H MTA106HPC MTA144ASQ16G72LSZ-2S6G1 MTA144ASQ16G72PSZ-2S6G1 MTA16ATF1G64AZ-2G1A2 MTA16ATF1G64AZ-2G1B1 MTA16ATF1G64AZ-2G3A2 MTA16ATF1G64AZ-2G6B1 MTA16ATF1G64HZ-2G1A2

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