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MURB2020CT1

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MURB2020CT1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MURB2020CT1 技術參數

MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:70A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 70A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:90ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 400V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MURD320T4 MURD320T4G MURD330T4G MURD340T4 MURD340T4G MURD530T4G MURD550PFT4 MURD550PFT4G MURD610CTT4 MURD620CT MURD620CT1 MURD620CTG MURD620CTT4 MURD620CTT4G MURD620CTTR MURD620CTTRL MURD620CTTRR MURF10005