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MURS360LT3G

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MURS360LT3G
深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
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深圳市奧偉斯科技有限公司
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MURS360LT3G 技術參數

MURS320TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:SMC（DO-214AB）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 MURS120TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 絕緣，TO-220AC 供應商器件封裝:ITO-220AC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:70A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 70A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MURS360S-M3/5BT MURS360T3 MURS360T3G MURS480ET3G MURT10005 MURT10005R MURT10010 MURT10010R MURT10020 MURT10020R MURT10040 MURT10040R MURT10060 MURT10060R MURT20005 MURT20005R MURT20010 MURT20010R