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參數資料
| 型號： | FXT557 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 300V五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92VAR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 26K |
| 代理商： | FXT557 |
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
*
150 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
*
P
tot
= 1 Watt
REFER TO ZTX555 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-160
V
Collector-Emitter Voltage
-150
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
1
W
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-160
V
I
C
=-100
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-150
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A, I
C
=0
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
μ
A
V
CB
=-140V
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V, I
C
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.3
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1
V
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1
V
IC=-100mA, V
CE
=-10V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
50
50
300
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-300mA, V
CE
=-10V*
Transition
Frequency
f
T
100
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V*
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CE
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
E-Line
TO92 Compatible
FXT555
3-40
B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXT560 | |
| FXT560A | |
| FXT660 | |
| FXT660A | |
| FXT601BSM | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FXT557SM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SO |
| FXT557STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT557STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT557STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FXT560 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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