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參數資料
| 型號： | BYD17D |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | General purpose controlled avalanche rectifiers(通用可控雪崩整流器) |
| 中文描述： | 0.6 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | GLASS, SO-2 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | BYD17D |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1996 Sep 26
1999 Nov 11
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BYD17 series
General purpose
controlled avalanche rectifiers
book, halfpage
M3D121
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BYD17J | General purpose controlled avalanche rectifiers(通用可控雪崩整流器) |
| BYD17K | General purpose controlled avalanche rectifiers(通用可控雪崩整流器) |
| BYD17G | General purpose controlled avalanche rectifiers(通用可控雪崩整流器) |
| BYD17M | General purpose controlled avalanche rectifiers(通用可控雪崩整流器) |
| BYD17SERIES | LNB Supply and control voltage regulator |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BYD17D,115 | 功能描述:DIODE AVAL GPP 1.5A 200V SOD87 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| BYD17D/T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DIODE CONTROLLED AVALANCHE MINI-MELF |
| BYD17DA | 制造商:EIC 制造商全稱:EIC discrete Semiconductors 功能描述:GENERAL PURPOSE CONTROLLED AVALANCHE RECTIFIERS |
| BYD17G | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE CONTROLLED AVALANCHE 1.4A |
| BYD17G,115 | 功能描述:DIODE AVAL GPP 1.5A 400V SOD87 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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