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MJF32C

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 3A 100V 30W PNP
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

MJF32C 技術參數

MJE802 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 1.5A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32 標準包裝:50 MJE521 功能描述:TRANS NPN 40V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1A，1V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE350 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:20.8W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE340 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:20.8W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE3055T 功能描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 MJF6668 MJF6668G MJH11017 MJH11017G MJH11019 MJH11019G MJH11020 MJH11020G MJH11021 MJH11021G MJH11022 MJH11022G MJH6284 MJH6284G MJH6287 MJH6287G MJL0281A MJL0281AG