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MMBT6521LT1G

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
MMBT6521LT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 100mA 40V NPN
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
MMBT6521LT1G 技術參數
  • MMBT4126-7 功能描述:TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,1V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 MMBT3906FZ-7B 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A X2-DFN060 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:435mW 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:X2-DFN0606-3 標準包裝:1 MMBT3906,215 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:250MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:MMBT3906 標準包裝:1 MMBT3906 功能描述:TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBT3904-HF 功能描述:TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 MMBTA05LT1 MMBTA05LT1G MMBTA05LT3 MMBTA05LT3G MMBTA05-TP MMBTA06 MMBTA06_D87Z MMBTA06_L98Z MMBTA06-7 MMBTA06-7-F MMBTA06LT1 MMBTA06LT1G MMBTA06LT1HTSA1 MMBTA06LT3G MMBTA06Q-7-F MMBTA06-TP MMBTA06WT1 MMBTA06WT1G
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