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MMBZ12VAL

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

MMBZ12VALT1G
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室，新中發電子市場B1303-b1305柜臺
10
ON
SOT23
18+
-
原裝現貨13661385246

MMBZ12VALT1G
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
15000
on/國產
sot-23
16+
-
原裝現貨

MMBZ12VAL,215
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
33000
NEX
ORIGONAL
16+
-
0.02006 USD,szpoweri...

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MMBZ12VAL PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE DUAL TVS 40W 8.5V SOT23
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE, DUAL TVS, 40W, 8.5V, SOT23
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE, DUAL TVS, 40W, 8.5V, SOT23; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm

MMBZ12VAL 技術參數

MMBZ10VAL,215 功能描述:TVS DIODE 6.5VWM 14.2VC SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:齊納單向通道:2 雙向通道:1 電壓 - 反向關態（典型值）:6.5V（最大）電壓 - 擊穿（最小值）:9.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:14.2V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:1.7A 功率 - 峰值脈沖:24W 電源線路保護:無應用:汽車級不同頻率時的電容:130pF @ 1MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）基本零件編號:MMBZ 標準包裝:1 MMBTA92,215 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:250nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:MMBTA92 標準包裝:1 MMBTA92 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 MMBZ15VALFHT116 MMBZ15VALT1 MMBZ15VALT116 MMBZ15VALT1G MMBZ15VALT3G MMBZ15VDL,215 MMBZ15VDL-7 MMBZ15VDL-7-F MMBZ15VDLT1 MMBZ15VDLT1G MMBZ15VDLT3G MMBZ16VALFHT116 MMBZ16VALR MMBZ16VALT116 MMBZ16VALT1G MMBZ16VALVL MMBZ16VTALR MMBZ16VTALT1G