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參數資料
| 型號： | M25P40-VMP6TG |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統一部門，串行閃存 |
| 文件頁數： | 1/40頁 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | M25P40-VMP6TG |
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August 2004
M25P40
4 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory
With 40MHz SPI Bus Interface
FEATURES SUMMARY
4 Mbit of Flash Memory
Page Program (up to 256 Bytes) in 1.5ms
(typical)
Sector Erase (512 Kbit) in 1s (typical)
Bulk Erase (4 Mbit) in 4.5s (typical)
2.7 to 3.6V Single Supply Voltage
SPI Bus Compatible Serial Interface
40MHz Clock Rate (maximum)
Deep Power-down Mode 1
μ
A (typical)
Electronic Signature (12h)
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Figure 1. Packages
SO8 (MN)
150 mil width
8
1
VDFPN8 (MP)
(MLP8)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40-VMP6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25SI | Thin Film, Rectangular, Fusible, Resistor Chips |
| M27256-F1 | NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
| M27256-F6 | NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM |
| M2732A-20F1 | NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M25P40-VMP6TG/TS | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 50MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25P40-VMP6TG/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40-VMP6TGB | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4Mbit 512K x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:4MBIT SPI NOR FLASH 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4Mbit 512K x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP T/R |
| M25P40-VMP6TGB TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8VFDFPN |
| M25P40-VMP6TGB/T | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel |
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