型號: | M25P80-VMN6T |
廠商: | 意法半導體 |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
中文描述: | 4兆位統一部門,串行閃存 |
文件頁數: | 1/7頁 |
文件大?。?/td> | 128K |
代理商: | M25P80-VMN6T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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M27C512-25XB1E | 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM |
M27C512-25XB1F | 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM |
M27C1024-35XB1TR | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
M27C1024-55XB1TR | 1 Mbit 64Kb x16 UV EPROM and OTP EPROM |
M27C512-45XF1E | 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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M25P80VMN6TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
M25P80-VMN6TG | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 75 MHz SPI bus interface |
M25P80VMN6TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
M25P80-VMN6TP | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 標準包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP(0.465",11.8mm 寬) 供應商設備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
M25P80-VMN6TPBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:8MBIT SERIAL NOR FLASH 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8SO |