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參數資料
| 型號： | M28R400C-ZBU |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（256Kb的x16插槽，引導塊）1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數： | 1/50頁 |
| 文件大小： | 755K |
| 代理商： | M28R400C-ZBU |
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FEATURES SUMMARY
s
SUPPLY VOLTAGE
–VDD = 1.65V to 2.2V Core Power Supply
–VDDQ= 1.65V to 2.2V for Input/Output
–VPP = 12V for fast Program (optional)
s
ACCESS TIMES: 90ns, 120ns
s
PROGRAMMING TIME
– 10s typical
– Double Word Programming Option
s
COMMON FLASH INTERFACE
– 64 bit Security Code
s
MEMORY BLOCKS
– Parameter Blocks (Top or Bottom location)
– Main Blocks
s
BLOCK LOCKING
– All blocks locked at Power Up
– Any combination of blocks can be locked
–WP for Block Lock-Down
s
SECURITY
– 64 bit user Programmable OTP cells
– 64 bit unique device identifier
– One Parameter Block Permanently Lockable
s
AUTOMATIC STAND-BY MODE
s
PROGRAM and ERASE SUSPEND
s
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
s
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code, M28R400CT: 882Ah
– Bottom Device Code, M28R400CB: 882Bh
Figure 1. Packages
FBGA
TFBGA46 (ZB)
6.39 x 6.37mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M50FW080NB1 | CAP OXI NIOB 10UF 10V 20% SMD |
| M50FW080NB1G | 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory |
| M50FW080NB1T | CAPACITOR, CASE A, 6.8UF, 10V; Application:Solid; Capacitance:6.8uF; Tolerance, capacitance:20%; Series:NOJ; Voltage, rating:10V; Capacitor dielectric type:Niobium Oxide; Case style:A; Depth, external:1.6mm; Length / Height, RoHS Compliant: Yes |
| M50FW080NB1TG | 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory |
| M27C512-70XB1 | 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M28S | 制造商:DCCOM 制造商全稱:Dc Components 功能描述:TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| M28S_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:AUDIO OUTPUT DRIVER AMPLIFIER |
| M28S05/2000X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| M28S12/1000X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| M28S-B | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
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