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參數(shù)資料
型號(hào)： M2V56S40ATP-8
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 256M Synchronous DRAM
中文描述： 256M同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 1/49頁(yè)
文件大小： 239K
代理商： M2V56S40ATP-8
Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
1
M2V56S20TP is a 4-bank x 16777216-word x 4-bit,
M2V56S30TP is a 4-bank x 8388608-word x 8-bit,
M2V56S40TP is a 4-bank x 4194304-word x 16-bit,
synchronous DRAM, with LVTTL interface. All inputs and outputs are referenced to the rising edge
of CLK. The M2V56S20/30/40TP achieve very high speed data rate up to 100MHz (-7/-8) , 133MHz
(-6), and are suitable for main memory or graphic memory in computer systems.
- Single 3.3v
±
0.3V power supply
- Max. Clock frequency 100MHz(-7/-8), 133MHz (-6)
- Fully Synchronous operation referenced to clock rising edge
- Single Data Rate
- 4 bank operation controlled by BA0, BA1 (Bank Address)
- /CAS latency- 2/3 (programmable)
- Burst length- 1/2/4/8/full page (programmable)
- Burst type- sequential / interleave (programmable)
- Random column access
- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10
- 8192 refresh cycles /64ms (4 banks concurrent refresh)
- Auto refresh and Self refresh
- Row address A0-12 / Column address A0-9,11(x4)/ A0-9(x8)/ A0-8(x16)
- LVTTL Interface
- 400-mil, 54-pin Thin Small Outline Package (TSOP II) with 0.8mm lead pitch
Some of contents are subject to change without notice.
DESCRIPTION
FEATURES
Standard
PC100 (CL3)
PC100 (CL2)
PC133 (CL3)
133MHz
100MHz
77MHz
100MHz
100MHz
100MHz
M2V56S20/30/40TP-8
M2V56S20/30/40TP-7
M2V56S20/30/40TP-6
Max. Frequency
@CL3
Max. Frequency
@CL2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M312L2828ET0 CTV 6C 6#20 PIN PLUG
M312L3223ETS DDR SDRAM Registered Module
M312L6420ETS DDR SDRAM Registered Module
M312L6423ETS DDR SDRAM Registered Module
M383L2828ET1 DDR SDRAM Registered Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M2V56S40TP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V56S40TP-6 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V56S40TP-7 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V56S40TP-8 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM
M2V64S20BTP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM
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