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參數資料
型號: M485L1624FT0-CB3
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: DDR SDRAM SODIMM
中文描述: 的DDR SDRAM SODIMM
文件頁數: 1/20頁
文件大小: 264K
代理商: M485L1624FT0-CB3
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
DDR SDRAM SODIMM
200pin Unbuffered SODIMM based on 256Mb F-die
64 / 72-bit (Non ECC / ECC)
Revision 1.2
March, 2004
相關PDF資料
PDF描述
M470L3223DT0-CLB3 256MB DDR SDRAM MODULE
M470L3223DT0 256MB DDR SDRAM MODULE
M470L3223DT0-CA0 256MB DDR SDRAM MODULE
M470L3223DT0-CA2 256MB DDR SDRAM MODULE
M470L3223DT0-CB0 256MB DDR SDRAM MODULE
相關代理商/技術參數
參數描述
M485L1624FU0-CA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM
M485L1624FU0-CB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM
M485L1624FU0-CB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM
M487X0003 功能描述:MOTOR BRUSHED DC ENC 174.64W 24V RoHS:是 類別:電機,螺線管 >> 電機 - AC,DC 系列:M487X000X 標準包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"(176.00mm) 直徑 - 軸:1.38"(35.00mm) 長度 - 軸和支架:3.15"(80.00mm) 安裝孔間距:7.87"(200.00mm) 特點:絕對式編碼器,鍵 端接類型:連接器 轉矩 - 運行(oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉矩 - 啟動狀態 (oz-in / mNm):- 轉矩 - 停滯狀態 (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率(瓦特):3kW 重量:55 磅(24.9kg) 其它名稱:R88MG3K010TS2
M487X0004 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類別:電機,螺線管 >> 電機 - AC,DC 系列:M487X000X 標準包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"(176.00mm) 直徑 - 軸:1.38"(35.00mm) 長度 - 軸和支架:3.15"(80.00mm) 安裝孔間距:7.87"(200.00mm) 特點:絕對式編碼器,鍵 端接類型:連接器 轉矩 - 運行(oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉矩 - 啟動狀態 (oz-in / mNm):- 轉矩 - 停滯狀態 (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率(瓦特):3kW 重量:55 磅(24.9kg) 其它名稱:R88MG3K010TS2
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