- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄299434 > M485L1624FT0-LA2 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | M485L1624FT0-LA2 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| 封裝： | SODIMM-200 |
| 文件頁數： | 1/20頁 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | M485L1624FT0-LA2 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
DDR SDRAM SODIMM
200pin Unbuffered SODIMM based on 256Mb F-die
64 / 72-bit (Non ECC / ECC)
Revision 1.2
March, 2004
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-CB3 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| M5-NP | UNSHIELDED, 0.056 uH - 0.12 uH, VARIABLE INDUCTOR, SMD |
| M504-7885022 | 50 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE PCMCIA CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M50FLW080AN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| M50FLW080BN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M485L1624FU0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M487X0003 | 功能描述:MOTOR BRUSHED DC ENC 174.64W 24V RoHS:是 類別:電機，螺線管 >> 電機 - AC，DC 系列:M487X000X 標準包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉矩 - 啟動狀態 (oz-in / mNm):- 轉矩 - 停滯狀態 (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
| M487X0004 | 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類別:電機，螺線管 >> 電機 - AC，DC 系列:M487X000X 標準包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉矩 - 啟動狀態 (oz-in / mNm):- 轉矩 - 停滯狀態 (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。