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參數資料
| 型號： | MA27E02 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | SILICON, L BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI-2-F2, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | MA27E02 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA27E02
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: November 2003
SKH00129AED
For cellular phone
■
Features
High-frequency wave detection is possible.
Low forward voltage V
F
Small terminal capacitance C
t
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
20
V
Maximum peak reverse voltage
V
RM
I
F
20
V
Forward current
35
mA
Peak forward current
I
FM
100
mA
Junction temperature
T
j
T
stg
125
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F1
I
F
=
1 mA
I
F
=
35 mA
V
R
=
15 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
5 mA
0.40
V
V
F2
I
R
1.0
V
Reverse current
200
nA
Terminal capacitance
C
t
1.2
pF
Forward dynamic resistance
r
f
9
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: G
Unit: mm
5
°
5
°
0.27
2
1
1
±
0
±
1
±
0.60
±0.05
0
0
0
0
+0.05
0.13
+0.05
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Rated input/output frequency: 2 GHz
1: Anode
2: Cathode
SSSMini2-F2 Package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA27P01 | Silicon epitaxial planar type |
| MA27P07 | SILICON PLANAR TYPE |
| MA27V01 | Silicon epitaxial planar type |
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| MA27V04 | Silicon epitaxial planar type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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