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參數資料
| 型號： | MA2C196 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type |
| 中文描述： | 0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-34 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DO-34-A1, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | MA2C196 |
Switching Diodes
MA2C196
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Low forward dynamic resistance r
f
Small terminal capacitance, C
t
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25
°
C
1 : Cathode
2 : Anode
JEDEC : DO-34
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Forward voltage (DC)
V
R
50
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
F(AV)
I
FRM
50
V
Average forward current
100
mA
Repetitive peak forward current
225
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
I
FSM
500
mA
Junction temperature
T
j
200
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
200
Note) * : t = l s
1st Band
2nd Band
φ
0.45 max.
φ
1.75 max.
1
0
0
1
2
±
COLORED BAND
INDICATES
CATHODE
2
1
Type No.
MA2C196
Color
1st Band
Green
2nd Band
Green
I
Cathode Indication
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R1
V
R
= 15 V
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V, T
a
= 150
°
C
I
F
= 100 mA
I
R
= 100
μ
A
V
R
= 0 V, f
= 1 MHz
I
F
= 3 mA, f
= 30 MHz
I
F
= 3 mA, f
= 30 MHz
5
nA
I
R2
I
R3
V
F
10
nA
100
μ
A
Forward voltage (DC)
1.2
V
Reverse voltage (DC)
V
R
C
t
r
f1
50
V
Terminal capacitance
4
pF
Forward dynamic resistance
2.5
r
f2
3.6
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= 10 mA, V
R
= 1 V
I
rr
= 0.1 · I
R
, R
L
= 100
0.2
ms
I
Electrical Characteristics
T
a
= 25
°
C
Note) 1. Rated input/output frequency: 2.5 kHz
2. * : t
rr
measuring circuit
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
1 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
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PDF描述 |
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參數描述 |
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