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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA2J112 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Switching Diodes |
| 中文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F1, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | MA2J112 |
Switching Diodes
MA2J112
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Small S-mini type package, allowing high-density mounting
Ensuring the average forward current capacity I
F(AV)
= 200 mA
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
1 : Anode
2 : Cathode
S-Mini Type Package (2-pin)
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
40
V
Peak reverse voltage
Average forward current
*1
V
RM
I
F(AV)
I
FM
40
V
200
mA
Peak forward current
600
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*2
I
FSM
1
A
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R1
V
R
=
15 V
V
R
=
35 V
V
R
=
35 V, T
a
=
100
°
C
I
F
=
200 mA
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
50
nA
I
R2
I
R3
V
F
500
nA
100
μ
A
Forward voltage (DC)
1.1
V
Terminal capacitance
C
t
4
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
=
10 mA, V
R
=
6 V
I
rr
=
0.1 · I
R
, R
L
=
100
10
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
Marking Symbol: 1C
Note) *1: With a printed-circuit board
*2: t = 1 s
1
2
K
A
0
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
2.5
±
0.2
1.7
±
0.1
0.4
±
0.1
0.4
±
0.1
0
+
0
0
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2J114 | Rectifier Diodes |
| MA2J115 | Rectifier Diodes |
| MA2J116 | Switching Diodes |
| MA2J372 | Variable Capacitance Diodes |
| MA2J727 | Silicon epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA2J11200L | 功能描述:DIODE SWITCH 40V 200MA S-MINI 2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2J1120GL | 功能描述:DIODE SWITCH 40V 200MA S-MINI 2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2J113 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Switching Diodes |
| MA2J11300L | 功能描述:DIODE SWITCH 80V 200MA S-MINI 2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2J1130GL | 功能描述:DIODE SWITCH 80V 200MA S-MINI 2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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