- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄380304 > MA2J704 (PANASONIC CORP) Schottky Barrier Diodes (SBD) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MA2J704 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| 中文描述： | 0.2 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F1, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MA2J704 |
1
Publication date: April 2004
SKH00013BED
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2J704
(MA10704)
Silicon epitaxial planar type
For super high speed switching
■
Features
Forward current (Average) I
F(AV)
=
200 mA rectification is possible
Small reverse current I
R
(About 1/10 of I
R
of the ordinary
products)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RRM
20
V
Repetitive peak reverse voltage
20
V
Peak forward current
I
FM
300
mA
Forward current (Average)
I
F(AV)
I
FSM
200
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
1
A
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Marking Symbol: 2S
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
R1
I
F
=
200 mA
V
R
=
10 V
V
R
=
20 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
0.1 I
R
, R
L
=
100
0.55
V
Reverse current
2
μ
A
I
R2
5
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
30
pF
3.0
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1 I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Unit: mm
1 : Anode
2 : Cathode
EIAJ : SC-76
SMini2-F1 Package
5
5
1.25
±
0.1
0.7
±
0.1
2
±
0
1
±
0
0
±
0
0
(
0.16
0.5
±
0.1
1
2
+0.1
0.35
±
0.1
0 to 0.1
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 1 GHz.
4.*: t
rr
measurement circuit
Note)*: The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA10705 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA2Q705 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA10799 | Silicon epitaxial planar type (cathode common) |
| MA111 | Switching Diodes |
| MA2J111 | Switching Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MA2J70400L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2J727 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
| MA2J72700L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SMINI2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2J7270GL | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SMINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| MA2J728 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diodes (SBD) |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。