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參數資料
| 型號： | MA2J728 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| 中文描述： | SILICON, L BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F1, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | MA2J728 |
1
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2J728
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
For wave detection circuit
I
Features
Sealed in the S-mini (2-pin) mold and super small type
Low forward rise voltage (V
F
) and satisfactory wave detection
efficiency (
η
)
Extremely low reverse current I
R
Small temperature coefficient of forward characteristic
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
V
RM
30
V
Peak reverse voltage
30
V
Peak forward current
I
FM
I
F
T
j
150
mA
Forward current (DC)
30
mA
Junction temperature
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Marking Symbol: 2A
1 : Anode
2 : Cathode
S-Mini Type Package (2-pin)
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
= 30 V
I
F
= 1 mA
I
F
= 30 mA
V
R
= 1 V, f
= 1 MHz
300
nA
Forward voltage (DC)
V
F1
V
F2
C
t
0.4
V
1.0
V
Terminal capacitance
1.5
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= I
R
= 10 mA
I
rr
= 1 mA, R
L
= 100
1.0
ns
Detection efficiency
η
V
in
= 3 V
(peak)
, f
= 30 MHz
R
L
= 3.9 k
, C
L
= 10 pF
65
%
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Note) 1. Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a
human body and the leakage of current from the operating equipment
2. Rated input/output frequency: 2 000 MHz
3. * : t
rr
measuring instrument
1
2
K
A
0
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
2.5
±
0.2
1.7
±
0.1
0.4
±
0.1
0.4
±
0.1
0
+
0
0
Bias Applicaiton Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
I
R
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
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PDF描述 |
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參數描述 |
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