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參數(shù)資料
| 型號： | MA2SD31 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Operational Amplifiers : Ground Sense; Power supply (V): 3.0 to 32.0; Number of channels: 2; Circuit current (mA): 0.7; Input offset voltage (mV): 2; Input bias current (nA): 20; Slew rate (V/µs): 0.2; Operating temperature range (ºC): -40 to 125; Package: SOP8; |
| 中文描述： | 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F1, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MA2SD31 |
Schottky Barrier Diodes (SBD)
MA2SD31
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: October 2003
SKH00131AED
For super high speed switching
■
Features
I
F(AV)
=
200 mA rectification is possible.
Low forward voltage: V
F
<
0.47 V (at I
F
=
200 mA)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
V
RRM
30
V
Repetitive peak reverse voltage
30
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
200
mA
Peak forward current
I
FM
I
FSM
300
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
1
A
Junction temperature
T
j
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
125
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current
I
R1
V
R
=
10 V
V
R
=
30 V
I
F
=
200 mA
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
100 mA
I
rr
=
10 mA, R
L
=
100
20
μ
A
I
R2
V
F
200
Forward voltage
0.38
0.47
V
Terminal capacitance
Reverse recovery time
*
C
t
t
rr
25
pF
2
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Marking Symbol: 8N
Unit: mm
0.80
+0.05
0.60
+0.05
0.12
+0.05
1
+
–
0
+0
0.30
±
0.05
0.01
±
0.01
1
±
0
0
±
0
1
2
0
±
0
(
(
(
(
5
5
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 250 MHz
4.*: t
rr
measurement circuit
1: Anode
2: Cathode
SSMini2-F1 Package
Note)* :
The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine wave (non-repetitive)
90%
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
100 mA
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
10 mA
t
r
t
p
t
rr
I
F
t
t
Bias Application Unit (N-50BU)
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form
Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
V
R
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2SD32 | Silicon epitaxial planar type |
| MA2SE01 | Schottky Barrier Diodes (SBD) |
| MA2SP01 | Silicon epitaxial planar type |
| MA2SV01 | Silicon epitaxial planar type |
| MA2SV02 | Silicon epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA2SD3100L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V200MA SSMINI2P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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| MA2SD32 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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