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參數資料
| 型號： | MA2Z001 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planar type For switching circuits |
| 中文描述： | 0.1 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI2-F1, SC-76, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | MA2Z001 |
Switching Diodes
MA2Z001
Silicon epitaxial planar type
1
Publication date: November 2003
SKF00016BED
For switching circuits
■
Features
High breakdown voltage: V
R
=
200 V
Small terminal capacitance C
t
Suitable for high-density mounting
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
5
5
1.25
±
0.1
0.7
±
0.1
2
±
0
1
±
0
0
±
0
0
(
0.16
0.5
±
0.1
1
2
+0.1
0.35
±
0.1
0 to 0.1
Unit: mm
1 : Anode
2 : Cathode
EIAJ : SC-76
SMini2-F1 Package
Marking Symbol: 1K
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
V
R
200
V
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
250
V
Forward current (Average)
I
F(AV)
I
FRM
I
FSM
100
mA
Repetitive peak forward current
225
mA
Non-repetitive peak forward
surge current
*
500
mA
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Note)*: t
=
1 s
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
R
I
F
=
100 mA
V
R
=
200 V
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
I
F
=
I
R
=
10 mA
I
rr
=
1 mA , R
L
=
100
1.2
V
Reverse current
1.0
μ
A
Terminal capacitance
C
t
t
rr
3.0
pF
Reverse recovery time
*
60
ns
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring method for diodes.
2. Absolute frequency of input and output is 20 MHz.
3. *: t
rr
measurement circuit
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
I
=
10 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr
=
1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
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